Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/30247
Повний запис метаданих
Поле DC | Значення | Мова |
---|---|---|
dc.contributor.author | Coyer, D. B. | - |
dc.contributor.author | Megela, I. C. | - |
dc.contributor.author | Comonnai, A. V. | - |
dc.contributor.author | Azniuk, Y. M. | - |
dc.date.accessioned | 2020-09-17T06:45:06Z | - |
dc.date.available | 2020-09-17T06:45:06Z | - |
dc.date.issued | 2000 | - |
dc.identifier.citation | Investigation of formation and annealing of radiation defects in III-V semiconductors under electron irradiation [Текст] / D. B. Coyer, I. C. Megela, A. V. Comonnai, Y. M. Azniuk // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / редкол.: І.Небола (відпов. ред.), Д. Блецкан, О. Герзанич та ін. – Ужгород : ПП "Шарк", 2000. – Вип. 8№Ч. 1. – P. 38-43. | uk |
dc.identifier.uri | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/30247 | - |
dc.language.iso | en | uk |
dc.publisher | ПП "Шарк" | uk |
dc.title | Investigation of formation and annealing of radiation defects in III-V semiconductors under electron irradiation | uk |
dc.type | Text | uk |
dc.pubType | Стаття | uk |
Розташовується у зібраннях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 8 Частина 1 - 2000 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Investigation of formation and annealing of radiation defects in III-V semiconductors under electron irradiation.pdf | 675.55 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.