Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/30247| Назва: | Investigation of formation and annealing of radiation defects in III-V semiconductors under electron irradiation |
| Автори: | Coyer, D. B. Megela, I. C. Comonnai, A. V. Azniuk, Y. M. |
| Дата публікації: | 2000 |
| Видавництво: | ПП "Шарк" |
| Бібліографічний опис: | Investigation of formation and annealing of radiation defects in III-V semiconductors under electron irradiation [Текст] / D. B. Coyer, I. C. Megela, A. V. Comonnai, Y. M. Azniuk // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / редкол.: І.Небола (відпов. ред.), Д. Блецкан, О. Герзанич та ін. – Ужгород : ПП "Шарк", 2000. – Вип. 8№Ч. 1. – P. 38-43. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/30247 |
| Розташовується у зібраннях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 8 Частина 1 - 2000 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Investigation of formation and annealing of radiation defects in III-V semiconductors under electron irradiation.pdf | 675.55 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.