Тензиметричні дослідження кристалів Sn2Р2S6

Abstract

Досліджувалися залежності тиску насичених парів напівпровідника-сегнетоелектрика Sn2P2S6 (гексатіогіподифосфата олова ) в інтервалі температур 500-1500 К. Уточнені області фазових перетворень даної сполуки. Показано, що в інтервалі температур 500-699 К термічна дисоціація проходить з утворенням сполуки SnS, а вінтервалі 699- 930 К - з утворенням SnS2. Рекомендовано технологічні режи-ми вирощування монокристалів Sn2P2S6 методом ХТР (хімічних транспортних реакцій).

The temperature studies of saturated vapour pressure in SnP2S, ferroelectric- semiconductors in the temperature range of 500-1500 K were carried out. The phase transition regions on the T-x phase diagram were specificd. It has been shown that the thermal dissociation at temperatures 500-699 K is accompanied with formation of SnS compound and at temperatures 699- 930 K is accompanied with formation of SnS2 compound . The growing conditions for Sn2P2S6, crystals with vapour transport technique were defined.