Вплив гідростатичного тиску на аномалії діелектричної проникності кристалів TlInS2

Abstract

Досліджено шаруваті сегнетонапівпровідники TlInS2 з неспівмірною фазою при високих гідростатичних тисках (0–0.55 ГПа). Встановлено, що при збільшенні тиску спостерігається зміщення аномалій діелектричної проникності в область вищих температур, зміна температур характерних аномалій має лінійний характер і визначено їх баричні коефіцієнти у досліджуваному інтервалі тисків.

Influence of high hydrostatic pressure (0–0.55 GPa) on the dielectric anomalies of layered TlInS2 crystals are studied. It is revealed, that with pressure increase shift of dielectric anomalies to higher temperature range observes. It is determined, that shift of dielectric anomalies is of linear character. Pressure coefficients were calculated.