Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/36459| Назва: | Вплив гідростатичного тиску на аномалії діелектричної проникності кристалів TlInS2 |
| Інші назви: | Influence of hydrostatic pressure on the dielectric anomalies of TlInS2 crystals |
| Автори: | Гомоннай, Олександр Олександрович Гуранич, Павло Павлович Риган, М. Ю. Роман, І. Ю. Сливка, Олександр Георгійович |
| Дата публікації: | 2008 |
| Видавництво: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
| Бібліографічний опис: | Вплив гідростатичного тиску на аномалії діелектричної проникності кристалів TlInS2 / О. О. Гомоннай, П. П. Гуранич, М. Ю. Риган [та ін.] // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / ред.кол. : В.Різак, В.Біланич, Ю.Височанський, О.Грабар. – Ужгород : Говерла, 2008. – Вип. 22. – C. 31–35. – Бібліогр.: с. 34 (14 назв) |
| Серія/номер: | Фізика; |
| Короткий огляд (реферат): | Досліджено шаруваті сегнетонапівпровідники TlInS2 з неспівмірною фазою
при високих гідростатичних тисках (0–0.55 ГПа). Встановлено, що при
збільшенні тиску спостерігається зміщення аномалій діелектричної
проникності в область вищих температур, зміна температур характерних
аномалій має лінійний характер і визначено їх баричні коефіцієнти у
досліджуваному інтервалі тисків. Influence of high hydrostatic pressure (0–0.55 GPa) on the dielectric anomalies of layered TlInS2 crystals are studied. It is revealed, that with pressure increase shift of dielectric anomalies to higher temperature range observes. It is determined, that shift of dielectric anomalies is of linear character. Pressure coefficients were calculated. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/36459 |
| Розташовується у зібраннях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 22 - 2008 |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| ВПЛИВ ГІДРОСТАТИЧНОГО ТИСКУ.pdf | 138.67 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.