n + - n-InSe - n + фототранзистор на основі симетричного гетеропереходу

Abstract

Показано можливість виготовлення на основі InSe подвійного симетричного гетеропереходу оксид-InSe-оксид, усі компоненти якого мають n-тип провідності. Встановлено, що фототранзисторний ефект спостерігається в широкому діапазоні товщин бази: від 7 до 110 мкм. Значне підсилення фотоструму має місце лише для товщин, що співрозмірні з дифузійною довжиною неосновних носіїв заряду. Особливістю підсилення є перехід фототранзистора з високоомного в низькоомний стан лише при певних напругах i рівнях освітлення. У режимі перемикання досягається значна густина струму - 200 мА/см2. Чим вищий рівень освітлення, тим менша напруга перемикання. Фоточутливість структур зафіксовано в діапазоні довжин хвиль 0,6-1,0 мкм.

A possibility of fabrication of an oxide-InSe-oxide double symmetric heterojunction all the components of which have n-type conductivity 1s shown. The phototransistor effect is found to be observed in a wide range of base thickness: from 7 up to 110 um. A considerable photocurrent amplification is realized only for the base sample thickness comparable to the minority carrier diffusion length. A specific feature of the amplification is that the transition of phototransistor from the high-resistance state to the low-resistance one takes place at fixed voltages and levels of illumimtion. In the switching mode a significant current density of about 200 mA/cm2 is attained. The higher is illumination level the lower becomes the transition voltage. Photosensitivity of the structures in the wavelength range of 0.6—1.0 um is shown.