Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/36644
Назва: | n + - n-InSe - n + фототранзистор на основі симетричного гетеропереходу |
Інші назви: | n + - n-InSe - n + phototransistor on the base of a symmetric heterojunction |
Автори: | Сидор, О. М. |
Дата публікації: | 2005 |
Видавництво: | ПП "Шарк" |
Бібліографічний опис: | Сидор, О. М. n + - n-InSe - n + фототранзистор на основі симетричного гетеропереходу / О. М. Сидор // Науковий вісник Ужгородського університету : серія: Фізика / редкол.: І.Небола (відпов. ред.), Д. Берча, Д. Блецкан та ін. – Ужгород : ПП "Шарк", 2005. – Вип. 17. – С. 95-98. – Рез. укр., англ. – Бібліогр.: с. 97 (4 назви) |
Серія/номер: | Фізика; |
Короткий огляд (реферат): | Показано можливість виготовлення на основі InSe подвійного симетричного
гетеропереходу оксид-InSe-оксид, усі компоненти якого мають n-тип провідності. Встановлено, що фототранзисторний ефект спостерігається в широкому діапазоні товщин бази: від 7 до 110 мкм. Значне підсилення фотоструму має місце лише для товщин, що співрозмірні з дифузійною довжиною неосновних носіїв заряду. Особливістю підсилення є перехід фототранзистора з високоомного в низькоомний стан лише при певних напругах i рівнях освітлення. У режимі перемикання досягається значна густина струму - 200 мА/см2. Чим вищий рівень освітлення, тим менша напруга перемикання. Фоточутливість структур зафіксовано в діапазоні довжин хвиль 0,6-1,0 мкм. A possibility of fabrication of an oxide-InSe-oxide double symmetric heterojunction all the components of which have n-type conductivity 1s shown. The phototransistor effect is found to be observed in a wide range of base thickness: from 7 up to 110 um. A considerable photocurrent amplification is realized only for the base sample thickness comparable to the minority carrier diffusion length. A specific feature of the amplification is that the transition of phototransistor from the high-resistance state to the low-resistance one takes place at fixed voltages and levels of illumimtion. In the switching mode a significant current density of about 200 mA/cm2 is attained. The higher is illumination level the lower becomes the transition voltage. Photosensitivity of the structures in the wavelength range of 0.6—1.0 um is shown. |
Тип: | Text |
Тип публікації: | Стаття |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/36644 |
Розташовується у зібраннях: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 17 - 2005 |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
ФОТОТРАНЗИСТОР НА ОСНОВІ СИМЕТРИЧНОГО.pdf | 113.27 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.