Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/39146| Название: | Temperature Dependence of The Optical Absorption Edge of Doped Gallium Arsenide |
| Авторы: | Chychura, Ihor Ivanovych Turianytsia, Ivan Ivanovych Chychura, Ivan Ivanovych |
| Ключевые слова: | fiber-optic temperature sensors, Zn doped GaAs crystals, Optical transmission of doped GaAs |
| Дата публикации: | 2020 |
| Краткий осмотр (реферат): | The temperature dependences of the optical absorption edges of Zn doped GaAs semiconductor crystals have been measured from 300 to 560 K. The temperature dependence of the optical absorption in the Urbach edges is adequately reproduced by a Bose-Einstein model. Analysis of experimental results gave us the opportunity to offer an explicit function of two arguments (photon energy and temperature) for the absorption coefficient of doped crystals in the Urbach edge region. |
| Тип: | Text Dataset Image |
| Тип публикации: | Стаття |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/39146 |
| ISSN: | 1729-4428 |
| Располагается в коллекциях: | Наукові публікації кафедри приладобудування |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| чичура іг.і. туряниця і.і. чичура ів.і..pdf | 1.59 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.