Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/39146| Назва: | Temperature Dependence of The Optical Absorption Edge of Doped Gallium Arsenide |
| Автори: | Chychura, Ihor Ivanovych Turianytsia, Ivan Ivanovych Chychura, Ivan Ivanovych |
| Ключові слова: | fiber-optic temperature sensors, Zn doped GaAs crystals, Optical transmission of doped GaAs |
| Дата публікації: | 2020 |
| Короткий огляд (реферат): | The temperature dependences of the optical absorption edges of Zn doped GaAs semiconductor crystals have been measured from 300 to 560 K. The temperature dependence of the optical absorption in the Urbach edges is adequately reproduced by a Bose-Einstein model. Analysis of experimental results gave us the opportunity to offer an explicit function of two arguments (photon energy and temperature) for the absorption coefficient of doped crystals in the Urbach edge region. |
| Тип: | Text Dataset Image |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/39146 |
| ISSN: | 1729-4428 |
| Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації кафедри приладобудування |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| чичура іг.і. туряниця і.і. чичура ів.і..pdf | 1.59 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.