Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/4316| Название: | Luminescence, Raman and synchrotron XPS study of amorphous Ge2S3 based films |
| Авторы: | Міца, Володимир Михайлович Mitsa, V.M. Holomb, R.M. Ivanda, M. Gamulin, O. Kondrat, O. Popovych, N. Lovas, G. Petreckiy, S. Tsud, N. Matolin, V. Prince, K.C. |
| Ключевые слова: | amorphous Ge2S3 based films, Raman, photoluminescence and photoemission spectroscopy |
| Дата публикации: | 2013 |
| Краткий осмотр (реферат): | Ge2S3-based films have been investigated using Raman, photoluminescence and photoemission spectroscopy. For the sake of comparison some of the photoluminescent properties of bulk glasses have been used. The synchrotron photoelectron spectroscopy (SRPES) and XPS spectra of a-Ge2S3 films have been measured after the illumination and annealing. The changes in the parameters of the film’s core levels induced by near or above band gap light and thermal treatment are discussed in the paper. We consider the possibility that the PL radiation in Ge2S3-based films is a surface contaminant effect from native oxidized layer, which might have formed in the air. |
| Тип: | Text |
| Тип публикации: | Стаття |
| URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/4316 |
| Располагается в коллекциях: | Наукові публікації кафедри інформатики та фізико-математичних дисциплін Наукові публікації кафедри інформаційних управляючих систем та технологій |
Файлы этого ресурса:
| Файл | Описание | Размер | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 28_Mipro_2013_meet_005_2231.pdf | 1.07 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.