Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/43539
Название: | Реферетивно-информационный обзор по материалам A2 IV B2 V C6 VI (І957-І99І г.г.) |
Авторы: | Тягур, Юрій Ілліч Фирцак, Ю. Ю. Лада, Л. В. |
Дата публикации: | 1992 |
Издательство: | Патент |
Библиографическое описание: | Тягур Ю. И. Реферетивно-информационный обзор по материалам A2 IV B2 V C6 VI (І957-І99І г.г. ) : монографія / Ю. И. Тягур, Ю. Ю. Фирцак, Л. В. Лада – Ужгород : Патент, І992. – ЗІ5 с. с ил. |
Краткий осмотр (реферат): | В обзоре приведены физические исследования сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2 P2 S6. Анализируются температурные зависимости диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, электропроводности,.ширины запрещенной зоны при атмосферном давлении. Приведена фазовая р-Т диаграмма Sn2 P2 S6 и анализируются изменения диэлектрических свойств Sn2 P2 S6 вдоль р-Т диаграммы. Основное место в обзоре занимают рефераты и тезисы публикаций по материалам A2IV B2V C6VI с 1957 по 1991 годы. Собраны все известные нам литературные источники (322 научные.публикации, представленные 218 соавторами). Для специалистов, а также лиц, интересующихся исследованием и применением сложных полупроводниковых соединений. |
Тип: | Text |
Тип публикации: | Монографія |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/43539 |
ISBN: | 5-7757-0568-8 |
Располагается в коллекциях: | Навчально-методичні видання кафедри приладобудування |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
Реферативно.pdf | 192.66 MB | Adobe PDF | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.