Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/43539| Назва: | Реферетивно-информационный обзор по материалам A2 IV B2 V C6 VI (І957-І99І г.г.) |
| Автори: | Тягур, Юрій Ілліч Фирцак, Ю. Ю. Лада, Л. В. |
| Дата публікації: | 1992 |
| Видавництво: | Патент |
| Бібліографічний опис: | Тягур Ю. И. Реферетивно-информационный обзор по материалам A2 IV B2 V C6 VI (І957-І99І г.г. ) : монографія / Ю. И. Тягур, Ю. Ю. Фирцак, Л. В. Лада – Ужгород : Патент, І992. – ЗІ5 с. с ил. |
| Короткий огляд (реферат): | В обзоре приведены физические исследования сегнетоэлектрика-полупроводника Sn2 P2 S6. Анализируются температурные зависимости диэлектрической проницаемости, тангенса угла диэлектрических потерь, электропроводности,.ширины запрещенной зоны при атмосферном давлении. Приведена фазовая р-Т диаграмма Sn2 P2 S6 и анализируются изменения диэлектрических свойств Sn2 P2 S6 вдоль р-Т диаграммы. Основное место в обзоре занимают рефераты и тезисы публикаций по материалам A2IV B2V C6VI с 1957 по 1991 годы. Собраны все известные нам литературные источники (322 научные.публикации, представленные 218 соавторами). Для специалистов, а также лиц, интересующихся исследованием и применением сложных полупроводниковых соединений. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Монографія |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/43539 |
| ISBN: | 5-7757-0568-8 |
| Розташовується у зібраннях: | Навчально-методичні видання кафедри приладобудування |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| Реферативно.pdf | 192.66 MB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.