Вплив іонної імплантації на оптичні параметри тонких плівок Cu6PS5I.

Abstract

Проведено іонну імплантацію сіркою та фосфором тонких плівок Cu6PS5I, а також їх структурні дослідження методами скануючої електронної мікроскопії та енерго-дисперсійної рентгенівської спектроскопії. Досліджено спектри пропускання тонких плівок, а також вивчено вплив іонної імплантації на спектри та параметри експоненціального краю поглинання. Вивчено дисперсію показників заломлення імплантованих плівок та проведено її опис за допомогою оптико- рефрактометричного співвідношення. Отримано та проаналізовано залежності ширини оптичної псевдощілини, урбахівської енергії та показників заломлення в імплантованих плівках від величини флуенса. Ключові слова: тонкі плівки, іонна імплантація, спектри пропускання, оптична псевдощілина, урбахівська енергія, показник заломлення.

The ion implantation of Cu6PS5I thin films by sulphur and phosphorous is carried out as well as the structural studies by methods of scanning electron microscopy and energy-dispersive X-ray spectroscopy are performed. Transmission spectra of thin films and influence of ion implantation on spectra and parameters of exponential absorption edge are investigated. Refractive indeces dispersion of implanted thin films is studied as well as its description by optical-refractometric relation is carried out. Dependences of the optical pseudogap, Urbach energy and refractive indeces in implanted films on fluence values are investigated and analyzed. Key words: thin films, ion implantation, transmission spectra, optical pseudogap, Urbach energy, refractive index.