Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/69520
Назва: Electron-Beam Recording of Surface Structures on As-S-Se Chalcogenide Thin Films
Автори: Revutska, L.O.
Shylenko, O.I.
Stronski, A.V.
Komanicky, V.
Bilanych, V.S.
Ключові слова: chalcogenide thin films, chalcogenide thin films, electron beam irradiation, surface nanostructures.
Дата публікації: 2020
Видавництво: Physics and chemistry of solid state
Бібліографічний опис: Physics and chemistry of solid state, 2020, V. 1, № 1, С. 146-150
Короткий огляд (реферат): The effect of electron beam irradiation on the amorphous chalcogenide film As38S36Se26 was studied. The formation of cones with a Gaussian profile on the surfaces of the films was found after local electron irradiation. Exposition dependent evolution of height surface nanostructures has been detected. The dependence of the height of surface nanostructures on the dose of irradiation is analyzed. Charge accumulation model into interaction region between the film and the electron beam was used to explain the electron-induced phenomena of the surface structure of amorphous As38S36Se26 films. Charges relaxation times, and electron beam penetration depth into film, and the initial and inverse doses are determined.
Тип: Text
Тип публікації: Стаття
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/69520
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації кафедри прикладної фізики і квантової електроніки

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
2020_PHYSICS AND CHEMISTRY....pdf646.78 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.