Атмосферна корозія телекомунікаційних оптичних середовищ для халькогенідної фотоніки

Abstract

Монографія присввчена дослідженню взаємозв'язку структури і емісійних властивостей об'єшmх стекол GeS2, одержаних з різних технологічних умов. У рамках теорії наногетероморфного склоутворення теоретичними і експериментальними спектроскопічними методами в моноrрафіі приводяться дані, що підтверджують гіпотезу про формування змішаного середнього порядку в c-GeS, кільцевими фрагментами двовимірної шаруватої високотемпературної 􀂜-GeS, та тривимірної низькотемпературної a-GeS, кристалічних фаз. На основі поєднання теоретичних розрахунків коливного спектра :кільцевих :кластерів та спектроскопічних досліджень виявлено, що загартування розппану дисульфіду германію від Т,=1273 К з V,=l.5· 10' К/с в порівнянні з T1V1 (Т,=1193 К, V,=102 К/с) та ТзV2 (Т,=1373 К), призводить до зростання в структурній мшриці структури c-GeS, (Т 2 V 2) частки кластерів низькотемпературної a-GeS, фази порівняно з іх вмістом в c-GeS, (T1V1) та c­GeS, (ТзV,). При природному старінні c-GeS, (Т2V2) у спектрі фотоmомінесценції зі сколу домінує «фіолетова» емісія при 2.82 та З.О еВ, характерна для ФЛ розчину кварцеподібного GeO, у воді і емісії модельного гідратованого кластера. У спектрах ФЛ дисульфіду германію, одержаного при Т 1 VI та Т з V 2, домінує емісія в зеленій області спектра, характерна для нанодротів GeOx. Виявлено кореляцію між умовами загартування розплаву дисульфіду германію від Т з V,, збільшенням в структурній матриці c-GeS, (ТзV,) «дефектних» 5-членних кілець зі слабкими Ge-Ge зв'язками та зростанням інтенсивності «червоної» емісії зі скалу при старінні окисненої поверхні c-GeS, (ТзV,) при 1.60, 1.89, та 1.98 еВ характерної для емісії модельного дефекту типу -ОGеХз (Х=ОGеНз) в субстехіометричиому окису GeOx. Запропоновано модель деградації поверхні при старінні в природних умовах.