Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/21633
Назва: Changes of structure and optical parameters of As40-xSbxS60 amorphons films under laser illumination
Автори: Rubish, V.M.
Holomb, R.M.
Veres, M.
Himics, L.
Ключові слова: optical parameters, amorphons films, laser illumination
Дата публікації: 2-жов-2018
Бібліографічний опис: Rubish V.M., Holomb R.M., Veres M., Himics L., Gera E.V., Kostyukevich S.O., Makar L.I., Maryan V.M., Mykaylo O.A., Pop M.M., Yasinko T.I. Changes of structure and optical parameters of As40-xSbxS60 amorphons films under laser illumination // VIII Ukrainian scientific conference on physics of semiconductors (USCPS-8), October 2-4, 2018, Uzhhorod, Ukraine, pp. 198-199 (Poster presentation).
Короткий огляд (реферат): Due to the broad spectrum of photo-induced phenomena, chalcogenide vitreous semiconductors are widely applied as the media for information recording and fabrication of surface relief structures. In the present report we have adduced the results of investigations of the laser illumination and annealing influence on the Raman and transmission spectra and, respectively, on the structure and optical parameters of As40-xSbxS60 (x=0, 0.8, 1.6, 4, 6) amorphous films.
Тип: Text
Тип публікації: Стаття
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/21633
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації кафедри інформаційних управляючих систем та технологій

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
Changes of structure and optical parameters of As40-xSbxS60.pdf731.94 kBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.