ОПТИЧНI ХАРАКТЕРИСТИКИ I ПАРАМЕТРИ ПЛАЗМИ ПЕРЕНАПРУЖЕНОГО НАНОСЕКУНДНОГО РОЗРЯДУ МIЖ ЕЛЕКТРОДАМИ З АЛЮМIНIЮ ТА ХАЛЬКОПIРИТУ (СuInSe2) В АРГОНI

Abstract

Приведено оптичнi характеристики i параметри перенапруженого наносекундного роз- ряду в аргонi мiж електродами з алюмiнiю i халькопiриту (СuInSe2 ) при 𝑝(𝐴𝑟) = 13 ,3 i 101 кПа. Внаслiдок мiкровибухiв природних неоднорiдностей на робочих поверхнях еле- ктродiв в сильному електричному полi в плазму вносяться як пари алюмiнiю, так i пари халькопiриту, що створює передумови для синтезу за межами розряду тонких плiвок четверного халькопiриту – CuAlInSe2 . Дослiджено iмпульси напруги i струму на розрядному промiжку величиною 𝑑 = 1 · 10−3 м (розмiри наведено в системi СI), а також iмпульсний енергетичний внесок у плазму. Ретельно дослiджено спектри ви- промiнювання плазми, що дозволило встановити основнi продукти розпаду молекули халькопiриту та енергетичнi стани атомiв i однозарядних iонiв алюмiнiю, мiдi i iн- дiю, в яких вони утворюються в розрядi. Виявлено репернi спектральнi лiнiї атомiв i iонiв алюмiнiю, мiдi i iндiю, якi можуть бути використанi для контролю за процесом напилення тонких плiвок четверного халькопiриту. Методом числового моделювання параметрiв плазми перенапруженого наносекундного розряду на основi парiв алюмiнiю i халькопiриту, шляхом розв’язку кiнетичного рiвняння Больцмана для функцiї роз- подiлу електронiв за енергiями розраховано температуру i концентрацiю електронiв у розрядi, питомi втрати потужностi розряду на основнi електроннi процеси i констан- ти швидкостi електронних процесiв в залежностi вiд величини параметра 𝐸/𝑁 (де 𝐸 – напруженiсть електричного поля, 𝑁 – загальна концентрацiя сумiшi парiв алюмiнiю та аргону.