Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/45113
Назва: | ОПТИЧНI ХАРАКТЕРИСТИКИ I ПАРАМЕТРИ ПЛАЗМИ ПЕРЕНАПРУЖЕНОГО НАНОСЕКУНДНОГО РОЗРЯДУ МIЖ ЕЛЕКТРОДАМИ З АЛЮМIНIЮ ТА ХАЛЬКОПIРИТУ (СuInSe2) В АРГОНI |
Автори: | Шуаібов, Олександр Камілович Миня, Олександр Йосипович Малініна, Антоніна Олександрівна Грицак, Роксолана Володимирівна Малінін, Олександр Миколайович |
Ключові слова: | перенапружений наносекундний розряд, алюмiнiй, халькопiрит, аргон |
Дата публікації: | лип-2022 |
Бібліографічний опис: | Укр. фiз. журн. 2022. Т. 67, № 4 |
Короткий огляд (реферат): | Приведено оптичнi характеристики i параметри перенапруженого наносекундного роз- ряду в аргонi мiж електродами з алюмiнiю i халькопiриту (СuInSe2 ) при 𝑝(𝐴𝑟) = 13 ,3 i 101 кПа. Внаслiдок мiкровибухiв природних неоднорiдностей на робочих поверхнях еле- ктродiв в сильному електричному полi в плазму вносяться як пари алюмiнiю, так i пари халькопiриту, що створює передумови для синтезу за межами розряду тонких плiвок четверного халькопiриту – CuAlInSe2 . Дослiджено iмпульси напруги i струму на розрядному промiжку величиною 𝑑 = 1 · 10−3 м (розмiри наведено в системi СI), а також iмпульсний енергетичний внесок у плазму. Ретельно дослiджено спектри ви- промiнювання плазми, що дозволило встановити основнi продукти розпаду молекули халькопiриту та енергетичнi стани атомiв i однозарядних iонiв алюмiнiю, мiдi i iн- дiю, в яких вони утворюються в розрядi. Виявлено репернi спектральнi лiнiї атомiв i iонiв алюмiнiю, мiдi i iндiю, якi можуть бути використанi для контролю за процесом напилення тонких плiвок четверного халькопiриту. Методом числового моделювання параметрiв плазми перенапруженого наносекундного розряду на основi парiв алюмiнiю i халькопiриту, шляхом розв’язку кiнетичного рiвняння Больцмана для функцiї роз- подiлу електронiв за енергiями розраховано температуру i концентрацiю електронiв у розрядi, питомi втрати потужностi розряду на основнi електроннi процеси i констан- ти швидкостi електронних процесiв в залежностi вiд величини параметра 𝐸/𝑁 (де 𝐸 – напруженiсть електричного поля, 𝑁 – загальна концентрацiя сумiшi парiв алюмiнiю та аргону. |
Тип: | Text |
Тип публікації: | Стаття |
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/45113 |
ISSN: | 0372-400X |
Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації кафедри квантової електроніки |
Файли цього матеріалу:
Файл | Опис | Розмір | Формат | |
---|---|---|---|---|
Shuaibov_u1.pdf | 979.4 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.