Please use this identifier to cite or link to this item:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/6461| Title: | Focused ion source for the microelectronics thin films processing. |
| Other Titles: | Сфокусоване джерело іонів для обробки тонких плівок мікроелектроніки. |
| Authors: | Girka, O.I. Bizyukov, I.O. Bizyukov, O.A. Sereda, K.M. Romashchenko, O.V. |
| Keywords: | compact ion source, film surface inhomogeneity, ion-beam etching |
| Issue Date: | 2011 |
| Publisher: | Видавництво УжНУ "Говерла" |
| Citation: | Focused ion source for the microelectronics thin films processing / O. I. Girka, I. O. Bizyukov, O. A. Bizyukov et al. // Науковий вісник Ужгородського університету : Серія: Фізика / Редкол.: В. Різак, В. Біланич, Ю. Височанський, О. Грабар. – Ужгород: Видавництво УжНУ «Говерла», 2011. – Вип.30. – С. 45–51. – Бібліогр.: с. 51 (6 назв). – Рез.– укр., рос. |
| Series/Report no.: | Фізика; |
| Abstract: | This paper presents the results of the optimized compact ion source application for the
corrective ion-beam etching with the purpose to regulate the thickness and uniformity of
microelectronics functional layers with high precision on large-diameter wafers. The
functional layers on the wafers are etched by the scanning ion beam. Localization and
power of the beam correspond to the thin film surface inhomogeneity. The possibility of
both correcting the thin film surface inhomogeneity and increasing the surface roughness
with the precision up to 4 Å is shown.
Key words: compact ion source, film surface inhomogeneity, ion-beam etching. У роботі показано результати застосування оптимізованого компактного іонного джерела для коригуючого іонно-променевого травлення для регулювання товщини функціональних шарів мікроелектроніки з високою точністю. Функціональний шар на підкладці витравлюється скануючим сфокусованим іонним пучком, локалізація та потужність якого відповідає топографії неоднорідності товщини функціонального шару. Показано можливість регулювання розподілу товщини плівок по поверхні підкладок до +/-4 Å та зменшення шорсткості поверхні. Ключові слова: компактне іонне джерело, топографія, товщини функціонального шару |
| Type: | Text |
| Publication type: | Стаття |
| URI: | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/6461 |
| Appears in Collections: | Науковий вісник УжНУ Серія: Фізика. Випуск 30 - 2011 |
Files in This Item:
| File | Description | Size | Format | |
|---|---|---|---|---|
| FOCUSED ION SOURCE.pdf | 614.31 kB | Adobe PDF | View/Open |
Items in DSpace are protected by copyright, with all rights reserved, unless otherwise indicated.