Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/69522| Назва: | Interaction of chalcogenide As4Se96 films with electron beam when used them as electronic resists |
| Автори: | Bilanych, B.V. Shylenko, O. Latyshev, V.M. Feher, A. Bilanych, V.S. Rizak, V.M. Komanicky, V. |
| Ключові слова: | electron-induced surface relief, chalcogenide glass, thin films, As–Se, electron-induced surface relief. |
| Дата публікації: | 2020 |
| Видавництво: | Ukr. J. Phys. |
| Бібліографічний опис: | Ukr. J. Phys. 2020. Vol. 65, No. 3, p.247-253 |
| Короткий огляд (реферат): | The interaction of an electron beam with chalcogenide films As4Se96 has been studied. The kinetics of the formation of an electron-induced surface relief in the dose range 9.3 × 103–9.3×107 𝜇C· cm−2 is established. The parameters of the interaction of a film As4Se96 with an electron beam are calculated. It is shown that the observed point of inversion of the shape of the electron-induced relief can be caused by the crossover of the surface potential. The process of manufacturing the image element by the single-step lithography is realized on the surface of an As4Se96 film. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/69522 |
| Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації кафедри прикладної фізики і квантової електроніки |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 2020Bilanych_UJP-As4Se96.pdf | 852.78 kB | Adobe PDF | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.