Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/13
Назва: Comparison of sensitivity of Ge(9)As(9)Se(82) and Ge(16)As(24)Se(60) thin films to irradiation with electron beam
Автори: Shylenko, O.
Bilanych, V.
Feher, A.
Rizak, V.
Komanicky, V.
Дата публікації: 2017
Бібліографічний опис: Shylenko O., Bilanych V., Feher A., Rizak V., Komanicky V. Comparison of sensitivity of Ge9As9Se82 and Ge16As24Se60 thin films to irradiation with electron beam //8th International Conference on Amorphous and Nanostructured Chalcogenides. Abstract Book/ Sinaia, Romania, July 2-5, 2017, p.37-38.
Серія/номер: 8th International Conference on Amorphous and Nanostructured Chalcogenides. Abstract Book;
Тип: Text
Тип публікації: Тези до статті
URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/13
Розташовується у зібраннях:Наукові публікації кафедри прикладної фізики

Файли цього матеріалу:
Файл Опис РозмірФормат 
2017_Romania_Sinaia_Abstract_Book_P_37-38.pdf2.37 MBAdobe PDFПереглянути/Відкрити


Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.