Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/56004
Название: | Domain Wall Orientations in Sn2P2S6 Type Ferroelectrics |
Авторы: | Кайнц, Діана Іванівна Grabar A.A. Gurzan M.I. Horvat A.A. |
Ключевые слова: | Charged domain wallferro electricsetching tecnique |
Дата публикации: | 1-авг-2003 |
Издательство: | Taylor & Francis Group |
Библиографическое описание: | Ferroelectrics. - 2004. - Vol.304. - P.187-191 |
Краткий осмотр (реферат): | We have investigated the ferroelectric domain structure a Sn2P2S6 (SPS) single crystal using a chemical etching technique. For this purpose new etching compound was elaborated. The results demonstrate that domain pattern of Sn2P2S6 is formed by the both charged and non-charged domain walls. The presence of the charged walls correlates well with previous. |
Тип: | Text |
Тип публикации: | Стаття |
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): | https://doi.org/10.1080/00150190490456736 https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/56004 |
Располагается в коллекциях: | Наукові публікації кафедри міського будівництва і господарства |
Файлы этого ресурса:
Файл | Описание | Размер | Формат | |
---|---|---|---|---|
77.url | 151 B | Unknown | Просмотреть/Открыть |
Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.