Пожалуйста, используйте этот идентификатор, чтобы цитировать или ссылаться на этот ресурс: https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/56004
Название: Domain Wall Orientations in Sn2P2S6 Type Ferroelectrics
Авторы: Кайнц, Діана Іванівна
Grabar A.A.
Gurzan M.I.
Horvat A.A.
Ключевые слова: Charged domain wallferro electricsetching tecnique
Дата публикации: 1-авг-2003
Издательство: Taylor & Francis Group
Библиографическое описание: Ferroelectrics. - 2004. - Vol.304. - P.187-191
Краткий осмотр (реферат): We have investigated the ferroelectric domain structure a Sn2P2S6 (SPS) single crystal using a chemical etching technique. For this purpose new etching compound was elaborated. The results demonstrate that domain pattern of Sn2P2S6 is formed by the both charged and non-charged domain walls. The presence of the charged walls correlates well with previous.
Тип: Text
Тип публикации: Стаття
URI (Унифицированный идентификатор ресурса): https://doi.org/10.1080/00150190490456736
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/56004
Располагается в коллекциях:Наукові публікації кафедри міського будівництва і господарства

Файлы этого ресурса:
Файл Описание РазмерФормат 
77.url151 BUnknownПросмотреть/Открыть


Все ресурсы в архиве электронных ресурсов защищены авторским правом, все права сохранены.