Будь ласка, використовуйте цей ідентифікатор, щоб цитувати або посилатися на цей матеріал:
https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/56004| Назва: | Domain Wall Orientations in Sn2P2S6 Type Ferroelectrics |
| Автори: | Кайнц, Діана Іванівна Grabar A.A. Gurzan M.I. Horvat A.A. |
| Ключові слова: | Charged domain wallferro electricsetching tecnique |
| Дата публікації: | 1-сер-2003 |
| Видавництво: | Taylor & Francis Group |
| Бібліографічний опис: | Ferroelectrics. - 2004. - Vol.304. - P.187-191 |
| Короткий огляд (реферат): | We have investigated the ferroelectric domain structure a Sn2P2S6 (SPS) single crystal using a chemical etching technique. For this purpose new etching compound was elaborated. The results demonstrate that domain pattern of Sn2P2S6 is formed by the both charged and non-charged domain walls. The presence of the charged walls correlates well with previous. |
| Тип: | Text |
| Тип публікації: | Стаття |
| URI (Уніфікований ідентифікатор ресурсу): | https://doi.org/10.1080/00150190490456736 https://dspace.uzhnu.edu.ua/jspui/handle/lib/56004 |
| Розташовується у зібраннях: | Наукові публікації кафедри міського будівництва і господарства |
Файли цього матеріалу:
| Файл | Опис | Розмір | Формат | |
|---|---|---|---|---|
| 77.url | 151 B | Unknown | Переглянути/Відкрити |
Усі матеріали в архіві електронних ресурсів захищені авторським правом, всі права збережені.